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电子元器件详细资料 » IC[21713] » IRFR1018EPBF
型号:IRFR1018EPBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C79A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8.4 毫欧 @ 47A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 100µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs69nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2290pF @ 50V
功率_最大110W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak
包装管件

供应商

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IRFR1018EPBF相关型号

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